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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-67 |
| 包装说明： | R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 70 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 10 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 最大反向恢复时间： | 0.4 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| YG226S2 | FUJI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, SC-67, 2 PIN |
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| YG226S4 | FUJI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, SC-67, 2 PIN |
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| YG226S6 | FUJI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220, PLASTIC, TO-220F, 2 |
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| YG226S8 | ETC |
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FAST RECOVERY DIODE |
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| YG23013100J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| YG23016100J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| YG23018100J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| YG23019100J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| YG23212100J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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| YG23213100J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
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