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YBSM8006

更新时间： 2024-03-03 10:09:27
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扬杰 - YANGJIE /
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描述
YBS3

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YBSM8006 数据手册

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RoHS  
YBSM80005 THRU YBSM8010  
Bridge Rectifiers  
COMPLIANT  
Features  
● UL recognition, file #E313149  
● Glass passivated chip junction  
● Ideal for automated placement  
● High surge current capability  
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
Typical Applications  
General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for  
SMPS, lighting ballaster, adapter, battery charger, home  
appliances, office equipment, and telecommunication  
applications.  
Mechanical Data  
●
ackage: YBS3  
P
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant, Halogen-free  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
●
As marked on body  
Polarity:  
(T =25℃Unless otherwise specified  
■
Maximum Ratings  
）
a
YBSM80005 YBSM8001 YBSM8002 YBSM8004 YBSM8006 YBSM8008 YBSM8010  
SYMBOLUNIT  
PARAMETER  
YBSM80005 YBSM8001 YBSM8002 YBSM8004 YBSM8006 YBSM8008 YBSM8010  
Device marking code  
V
V
V
V
V
A
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
RRM  
RMS  
V
Maximum DC blocking Voltage  
100  
1000  
DC  
Average rectified output current  
I
O
8.0  
@60Hz sine wave, R-load, Tc=102℃  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
@60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
200  
I
A
FSM  
I2t  
400  
166  
@1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃  
Current squared time  
A2s  
@1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃，Rating of per  
diode  
T
Storage temperature  
Junction temperature  
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
stg  
℃
℃
T
j
（T =25℃Unless otherwise specified）  
■Electrical Characteristics  
a
TEST  
CONDITIONS  
YBSM80005YBSM8001YBSM8002YBSM8004YBSM8006YBSM8008YBSM8010  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum instantaneous  
forward voltage drop per diode  
V
V
1.0  
5
F
I
FM  
=4.0A  
T =25℃  
j
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
per diode  
I
μA  
R
Tj =125℃  
100  
Measured at 1MHz  
and Applied  
Reverse Voltage of  
4.0 V.D.C  
Typical junction capacitance  
Cj  
pF  
50  
1 / 4  
S-B1797  
Rev.1.3,09-May-22  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
1234

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