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XP4211

更新时间： 2024-11-28 07:56:51

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	87K
描述
Silicon NPN epitaxial planer transistor

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XP4211 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.82	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	35
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

XP4211 数据手册

Composite Transistors

XP04211 (XP4211)

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

+0.05

0.12

–0.02

For switching/digital circuits

0.2 ^0.05

■ Features

• Two elements incorporated into one package

(Transistors with built-in resistor)

• Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.1

■ Basic Part Number

10˚

•

UNR2211 (UN2211) × 2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

1: Emitter (Tr1)

2: Base (Tr1)

3: Collector (Tr2)

EIAJ : SC-88

4: Emitter (Tr2)

5: Base (Tr2)

6: Collector (Tr1)

SMini6-G1 Package

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Collector current

I_C

P_T

T_j

100

°C

Marking Symbol: 9V

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

Internal Connection

T_stg

−55 to +150

°C

Tr1

Tr2

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Output voltage high-level

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

V_CB= 50 V, I_E= 0

V_CE= 50 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

V_CE= 10 V, I_C= 5 mA

0.1

0.5

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 0.3 mA

0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= 5 V, V_B= 0.5 V, R_L= 1 kΩ

4.9

Output voltage low-level

V_CC= 5 V, V_B= 2.5 V, R_L= 1 kΩ

0.2

+30%

1.2

Input resistance

−30%

1.0

150

kΩ



Resistance ratio

R₁/ R₂

f_T

0.8

Transition frequency

V_CB= 10 V, I_E= −2 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: March 2004

SJJ00168BED

12 3

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