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XN04210(XN4210)

更新时间： 2024-09-29 23:33:23

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描述
複合デバイス－複合トランジスタ

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XN04210(XN4210) 数据手册

複合トランジスタ

XN04210 (XN4210)

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形

Unit: mm

+0.20

–0.05

1.9 0.1

(0.95) (0.95)

2.90

+0.10

スイッチング用 / デジタル回路用

0.16

–0.06

I 特ꢀ長

•

1パッケージに2素子内蔵 (抵抗内蔵トランジスタ)

積とアセンブリコストの半減が可能

• 実装面

+0.10

0.30

–0.05

0.50^+0.10

I 使用素子基

本形名

UNR1210 (UN1210) × 2素子

–0.05

10˚

•

I 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

V_CBO

V_CEO

I_C

定格

単位

素子のコレクタ・ベース電圧

1 : Collector (Tr1)

2 : Base (Tr2)

3 : Emitter (Tr2)

EIAJ : SC-74

4 : Collector (Tr2)

5 : Base (Tr1)

6 : Emitter (Tr1)

Mini6-G1 Package

定格

コレクタ・エミッタ電圧

コレクタ電流

全損失

100

300

°C

P_T

形名表示記号 : 8Z

総合

接合部温度

T_j

150

内部接続図

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

Tr1

Tr2

I 電気的特性 T_a= 25°C

項目

記号

条件

最小標準

最大

単位

コレクタ・ベース電圧

コレクタ・エミッタ電圧

コレクタ遮断電流

V_CBO

V_CEO

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

V_CB= 50 V, I_E= 0

0.1

0.5

µA

V_CE= 50 V, I_B= 0

エミッタ遮断電流

V_EB= 6 V, I_C= 0

0.01

460

0.25

直流電流増幅率

V_CE= 10 V, I_C= 5 mA

I_C= 10 mA, I_B= 0.3 mA

V_CC= 5 V, V_B= 0.5 V, R_L= 1 kΩ

V_CC= 5 V, V_B= 2.5 V, R_L= 1 kΩ

V_CB= 10 V, I_E= −2 mA, f = 200 MHz

160

コレクタ・エミッタ飽和電圧

出力電圧"H"レベル

出力電圧"L"レベル

トランジション周波数

入力抵抗

V_CE(sat)

V_OH

V_OL

f_T

4.9

0.2

150

MHz

kΩ

R₁

−30%

+30%

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

12 3

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