是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SIDE BRAZED, CERAMIC, MODULE, DIP-32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.3 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 250 ns | 其他特性: | PAGE WRITE |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 40.64 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 页面大小: | 256 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 宽度: | 15.24 mm |
写保护: | SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
XM28C040P | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040P-15 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040P-20 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040P-25 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040PI-15 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040PI-20 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040PI-25 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040PM-15 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040PM-20 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040PM-25 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |