是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SIDE BRAZED, CERAMIC, MODULE, DIP-32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.3 | 最长访问时间: | 200 ns |
其他特性: | PAGE WRITE | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 40.64 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
页面大小: | 256 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) | 最大待机电流: | 0.005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
写保护: | SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
XM28C040MHR-25 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
XM28C040P | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040P-15 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040P-20 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040P-25 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040PI-15 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040PI-20 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040PI-25 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040PM-15 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array | |
XM28C040PM-20 | XICOR |
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High Density 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |