Datasheet > 存储 > EEPROM> XM28C010PMHR-12

XM28C010PMHR-12

更新时间： 2025-03-20 22:11:31

品牌	Logo	应用领域
XICOR		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
3页	28K
描述
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

XM28C010PMHR-12 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CERAMIC, PGA-66
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	CONFIGURABLE AS 128K X 8	备用内存宽度：	16
JESD-30 代码：	S-CPGA-P66	长度：	27.686 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	66	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	8.128 mm
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	宽度：	27.686 mm
Base Number Matches：	1

XM28C010PMHR-12 数据手册

1 Megabit Puma Module

32K x 32 Bit

XM28C010P

High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array

FEATURES

• High Reliability

—Endurance: 100,000 Cycles

—Data Retention: 100 Years

• High Speed, High Density Memory Module

—150ns, 120ns, 90ns and 70ns Access Times

Available

—1 Megabit Memory in 1 square inch.

• Flexible Multiplane Architecture

—Four Separate Chip Selects

—32 Separate I/Os

• User Conﬁgurable I/Os—x8, x16, or x32

• User Conﬁgurable Page Size—64 Double-

words, 128 Words, or 256 Bytes

—Concurrent Read/Write Operations

• Able to Continue Reading During a

Nonvolatile Write Cycle.

DESCRIPTION

The XM28C010P is a high speed, high density CMOS

byte alterable nonvolatile memory array constructed on

a co-ﬁred ceramic substrate using Xicor’s High Speed

32K x 8 components in 32-pad leadless chip carriers.

The Substrate is a 66-pin ceramic pin grid array.

The module is conﬁgured with four separate chip

enable and write enable inputs and 32 separate I/Os.

This, along with the small footprint, provides the end

user with a large degree of ﬂexibility in board layout and

memory conﬁguration. In addition, with the large num-

ber of pins and the growth path being implemented, the

module will be able to grow to 16 megabits.

• 5 Volt Byte or Page Alterable

—No Erase Before Write

• Software Data Protection

• Early End of Write Polling

—DATA Polling

—Toggle Bit Polling

FUNCTIONAL DIAGRAM

OE WE1 CE1

WE2 CE2

WE3 CE3

WE4 CE4

32k x 8

A0–A15

I/O0–I/O7

I/O8–I/O15

I/O16–I/O23

I/O24–I/O31

6491 ILL F01

Xicor, 1995, 1996 Patents Pending

6491-1.3 8/12/97 T0/C2/D0 NS

Characteristics subject to change without notice

12 3

中文翻译

下载PDF

与XM28C010PMHR-12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
XM28C010PMHR-15	XICOR	获取价格	High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array
XM28C010PMHR-20	XICOR	获取价格	High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array
XM28C010PMHR-70	XICOR	获取价格	High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array
XM28C010PMHR-90	XICOR	获取价格	High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array
XM28C020	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
XM28C020-12	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
XM28C020-15	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
XM28C020-20	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
XM28C020-25	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
XM28C020I	XICOR	获取价格	EEPROM Module, 256KX8, 300ns, Parallel, CMOS,

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

XM28C010PMHR-12

XM28C010PMHR-12 技术参数

XM28C010PMHR-12 数据手册

与XM28C010PMHR-12相关器件

与XM28C010PMHR-12相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

XM28C010PMHR-12

XM28C010PMHR-12 技术参数

XM28C010PMHR-12 数据手册

与XM28C010PMHR-12相关器件

与XM28C010PMHR-12相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？