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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.91 |
| 最长访问时间： | 90 ns | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 页面大小： | 64 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 子类别： | EEPROMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | YES | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| 写保护： | SOFTWARE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| XM28C010P | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
|
| XM28C010P-12 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
|
| XM28C010P-15 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
|
| XM28C010P-20 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
|
| XM28C010P25 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, |
|
| XM28C010P-70 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
|
| XM28C010P-90 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
|
| XM28C010PI-12 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
|
| XM28C010PI-15 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
|
| XM28C010PI-20 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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