是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.91 |
最长访问时间: | 90 ns | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM MODULE |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 子类别: | EEPROMs |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | YES | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
写保护: | SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
XM28C010P | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010P-12 | XICOR |
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High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010P-15 | XICOR |
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High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010P-20 | XICOR |
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High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010P-70 | XICOR |
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High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010P-90 | XICOR |
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High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010P25 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, |
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XM28C010PI-12 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010PI-15 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010PI-20 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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