是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.79 |
最长访问时间: | 200 ns | 其他特性: | PAGE WRITE |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-XDMA-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 页面大小: | 64 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流: | 0.0008 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
写保护: | SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
XM28C010MHR-25 | XICOR |
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EEPROM Module, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, |
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XM28C010MHR-90 | XICOR |
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EEPROM Module, 128KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CDIP32, |
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XM28C010P | XICOR |
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High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010P-12 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010P-15 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010P-20 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010P-70 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010P-90 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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XM28C010P25 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, |
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XM28C010PI-12 | XICOR |
获取价格 |
High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array |
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