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XM28C010I

更新时间： 2024-01-23 16:58:03

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XICOR		存储
页数	文件大小	规格书
3页	28K
描述
EEPROM Module, 128KX8, 300ns, Parallel, CMOS,

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XM28C010I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	300 ns
其他特性：	PAGE WRITE	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-XDMA-T32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	页面大小：	64 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.0008 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	SOFTWARE
Base Number Matches：	1

XM28C010I 数据手册

1 Megabit Puma Module

32K x 32 Bit

XM28C010P

High Speed 5 Volt Byte Alterable Nonvolatile Memory Array

FEATURES

• High Reliability

—Endurance: 100,000 Cycles

—Data Retention: 100 Years

• High Speed, High Density Memory Module

—150ns, 120ns, 90ns and 70ns Access Times

Available

—1 Megabit Memory in 1 square inch.

• Flexible Multiplane Architecture

—Four Separate Chip Selects

—32 Separate I/Os

• User Conﬁgurable I/Os—x8, x16, or x32

• User Conﬁgurable Page Size—64 Double-

words, 128 Words, or 256 Bytes

—Concurrent Read/Write Operations

• Able to Continue Reading During a

Nonvolatile Write Cycle.

DESCRIPTION

The XM28C010P is a high speed, high density CMOS

byte alterable nonvolatile memory array constructed on

a co-ﬁred ceramic substrate using Xicor’s High Speed

32K x 8 components in 32-pad leadless chip carriers.

The Substrate is a 66-pin ceramic pin grid array.

The module is conﬁgured with four separate chip

enable and write enable inputs and 32 separate I/Os.

This, along with the small footprint, provides the end

user with a large degree of ﬂexibility in board layout and

memory conﬁguration. In addition, with the large num-

ber of pins and the growth path being implemented, the

module will be able to grow to 16 megabits.

• 5 Volt Byte or Page Alterable

—No Erase Before Write

• Software Data Protection

• Early End of Write Polling

—DATA Polling

—Toggle Bit Polling

FUNCTIONAL DIAGRAM

OE WE1 CE1

WE2 CE2

WE3 CE3

WE4 CE4

32k x 8

A0–A15

I/O0–I/O7

I/O8–I/O15

I/O16–I/O23

I/O24–I/O31

6491 ILL F01

Xicor, 1995, 1996 Patents Pending

6491-1.3 8/12/97 T0/C2/D0 NS

Characteristics subject to change without notice

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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