是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | PLASTIC, DIP-8 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.54 | 其他特性: | 100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 100 YEARS |
最大时钟频率 (fCLK): | 1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 10.03 mm |
内存密度: | 1024 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 128 words |
字数代码: | 128 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128X8 | 输出特性: | OPEN-DRAIN |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.32 mm | 最大待机电流: | 0.000001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 7.62 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
写保护: | SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X76F100P-3 | XICOR |
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Flash, 128X8, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
X76F100P-3.0 | XICOR |
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1K 128 x 8 Bit | |
X76F100PI | XICOR |
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1K 128 x 8 Bit | |
X76F100PI-3 | XICOR |
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Flash, 128X8, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 | |
X76F100PI-3.0 | XICOR |
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1K 128 x 8 Bit | |
X76F100S8 | XICOR |
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1K 128 x 8 Bit | |
X76F100S8-3 | XICOR |
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Flash, 128X8, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8 | |
X76F100S8-3.0 | XICOR |
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1K 128 x 8 Bit | |
X76F100S8-3T1 | XICOR |
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Flash, 128X8, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8 | |
X76F100S8I | XICOR |
获取价格 |
1K 128 x 8 Bit |