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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 0.200 INCH, PLASTIC, EIAJ, SOIC-8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.58 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | PASS SECURE FLASH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 1 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 100 | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 5.31 mm | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 512 words | 字数代码： | 512 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C | 组织： | 512X8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.03 mm |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.003 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 5.27 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | 写保护： | SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| X76F041AE-3T1 | XICOR | Flash, 512X8, PDSO8, 0.200 INCH, PLASTIC, EIAJ, SOIC-8 |
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| X76F041AET1 | XICOR | Flash, 512X8, PDSO8, 0.200 INCH, PLASTIC, EIAJ, SOIC-8 |
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| X76F041AT1 | XICOR | Flash, 512X8, PDSO8, 0.200 INCH, PLASTIC, EIAJ, SOIC-8 |
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| X76F041H | XICOR | PASS TM SecureFlash |
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| X76F041H-3 | XICOR | PASS TM SecureFlash |
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| X76F041HE | XICOR | PASS TM SecureFlash |
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