是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, SOP24,.4 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.91 | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | 100K ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 100 YEARS | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | NO | 数据保留时间-最小值: | 100 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 15.4 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP24,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 页面大小: | 32 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.65 mm |
最大待机电流: | 0.0005 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 宽度: | 7.5 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X68C64SI | XICOR |
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E2 Micro-Peripheral | |
X68C64SISLICT1 | XICOR |
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EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOIC-24 | |
X68C64SIT1 | XICOR |
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EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOIC-24 | |
X68C64SM | XICOR |
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E2 Micro-Peripheral | |
X68C64SMSLIC | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO24, SOIC-24 | |
X68C64SMT1 | XICOR |
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EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOIC-24 | |
X68C64SSLIC | XICOR |
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暂无描述 | |
X68C64SSLICT1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOIC-24 | |
X68C64ST1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOIC-24 | |
X68C75 | XICOR |
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Port Expander and E2 Memory |