是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP24,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.87 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | 100K ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 100 YEARS |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | NO |
数据保留时间-最小值: | 100 | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T24 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 31.685 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP24,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
页面大小: | 32 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.87 mm | 最大待机电流: | 0.0005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X68C64PISLIC | XICOR |
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EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP24, PLASTIC, DIP-24 | |
X68C64PM | XICOR |
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E2 Micro-Peripheral | |
X68C64PMSLIC | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP24, PLASTIC, DIP-24 | |
X68C64PSLIC | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP24, PLASTIC, DIP-24 | |
X68C64S | XICOR |
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E2 Micro-Peripheral | |
X68C64SI | XICOR |
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E2 Micro-Peripheral | |
X68C64SISLICT1 | XICOR |
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EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOIC-24 | |
X68C64SIT1 | XICOR |
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EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOIC-24 | |
X68C64SM | XICOR |
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E2 Micro-Peripheral | |
X68C64SMSLIC | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO24, SOIC-24 |