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X28LC512TI-25T1 PDF预览

X28LC512TI-25T1

更新时间： 2024-11-27 03:20:51
品牌 Logo 应用领域
XICOR 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 525K
描述
EEPROM, 64KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO40, TSOP-40

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X28LC512TI-25T1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：TSOP-40
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最长访问时间：250 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G40
长度：12.4 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：40
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：2.97 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
宽度：10 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

X28LC512TI-25T1 数据手册

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512K  
X28LC512/X28LC513  
64K x 8 Bit  
3.3 Volt, Byte Alterable E2PROM  
FEATURES  
• Two PLCC and LCC Pinouts  
—X28LC512  
—X28LC010 E PROM Pin Compatible  
—X28LC513  
• Low V Operation: V = 3.3V 10%  
CC  
CC  
2
• Access Time: 150ns  
• Simple Byte and Page Write  
2
—Compatible with Lower Density E PROMs  
—Self-Timed  
—No Erase Before Write  
—No Complex Programming Algorithms  
—No Overerase Problem  
• Low Power CMOS:  
DESCRIPTION  
2
The X28LC512/513 is a low-power 64K x 8 E PROM,  
fabricated with Xicor’s proprietary, high performance,  
floating gate CMOS technology. The X28LC512/513  
featurestheJEDECapprovedpinoutforbytewidememo-  
ries, compatible with industry standard EPROMS.  
—Active: 25mA  
—Standby: 150µA  
• Software Data Protection  
—Protects Data Against System Level  
Inadvertant Writes  
The X28LC512/513 supports a 128-byte page write  
operation, effectively providing a 39µs/byte write cycle  
andenablingtheentirememorytobewritteninlessthan  
2.5 seconds. The X28LC512/513 also features DATA  
Polling and Toggle Bit Polling, system software support  
schemes used to indicate the early completion of a write  
cycle. In addition, the X28LC512/513 supports the Soft-  
ware Data Protection option.  
• High Speed Page Write Capability  
• Highly Reliable Direct Write™ Cell  
—Endurance: 10,000 Write Cycles  
—Data Retention: 100 Years  
• Early End of Write Detection  
—DATA Polling  
—Toggle Bit Polling  
PLCC  
PIN CONFIGURATIONS  
30  
4 3  
2
32 31  
A
A
5
6
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A
A
A
A
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6
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3
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0
0
14  
13  
8
1
PLASTIC DIP  
TSOP  
A
7
A
A
A
OE  
A
1
2
3
4
5
6
7
8
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39  
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22  
21  
11  
9
8
A
NC  
NC  
1
2
3
4
5
6
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8
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31  
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23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
8
9
V
9
CC  
X28LC512  
(TOP VIEW)  
10  
A
11  
CE  
I/O  
WE  
NC  
A
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A
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A
A
A
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I/O  
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A
CE  
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NC  
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I/O  
I/O  
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A
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0
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A
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NC  
V
9
8
V
10  
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17  
18  
19  
20  
CC  
NC  
A
A
9
A
X28LC512  
3005 ILL F03  
SS  
A
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
I/O  
11  
PLCC  
X28LC512  
A
OE  
2
1
0
A
10  
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15  
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A
10  
A
A
I/O  
I/O  
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A
CE  
4 3  
2
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A
A
A
A
A
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A
A
A
A
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A
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A
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A
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A
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I/O  
7
I/O  
9
7
I/O  
I/O  
I/O  
V
11  
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NC  
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A
8
9
A
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I/O  
5
I/0  
X28LC513  
(TOP VIEW)  
10  
11  
12  
13  
4
10  
3005 ILL F22.2  
CE  
I/O  
3
SS  
NC  
I/O  
I/O  
7
6
I/O  
0
15 16 17 18 19 20  
21  
14  
3005 ILL F02.1  
3005 ILL F04.1  
© Xicor, Inc. 1991, 1995, 1996 Patents Pending  
3005-3.2 8/5/97 T2/C0/D0 EW  
Characteristics subject to change without notice  
1
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