是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | HERMETIC SEALED, CERDIP-32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.5 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 200 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | R-GDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 524288 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
页面大小: | 128 words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.9 mm |
最大待机电流: | 0.003 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | NO |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28HT512D-25 | XICOR |
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High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HT512F-20 | XICOR |
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High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HT512F-20T1 | XICOR |
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EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
X28HT512F-25 | XICOR |
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High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HT512F-25T1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 64KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
X28HT512K-20 | XICOR |
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High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HT512K-25 | XICOR |
获取价格 |
High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HT512R-20 | XICOR |
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High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HT512R-25 | XICOR |
获取价格 |
High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28LC512 | XICOR |
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3.3 Volt, Byte Alterable E2PROM |