是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.14 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE; 100 YEARS DATA RETENTION |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
数据保留时间-最小值: | 100 | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 37.15 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 7.24 mm | 最大待机电流: | 0.0002 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28HC64DM-50 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64DM-55 | XICOR |
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EEPROM, 8KX8, 55ns, Parallel, CMOS, CDIP28, HERMETIC SEALED, CERDIP-28 | |
X28HC64DM-70 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC64DM-70 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64DM-90 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC64DM-90 | RENESAS |
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8KX8 EEPROM 5V, 90ns, CDIP28, CERDIP-28 | |
X28HC64DM-90 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64DMB-12 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC64DMB-12 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC64DMB-50 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |