Datasheet > X28HC256JI-90T13

X28HC256JI-90T13

更新时间： 2024-11-19 15:58:07

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	496K
描述
EEPROM 5V

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

X28HC256JI-90T13 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	QCCJ,
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.63	最长访问时间：	90 ns
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	长度：	13.97 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	座面最大高度：	3.55 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

X28HC256JI-90T13 数据手册

DATASHEET

256k, 32k x 8-Bit, 5V, Byte Alterable EEPROM

X28HC256

Features

The X28HC256 is a second generation high performance

CMOS 32k x 8 EEPROM. It is fabricated with Intersil’s

proprietary, textured poly floating gate technology, providing a

highly reliable 5V only nonvolatile memory.

• Access time: 90ns

• Simple byte and page write

- Single 5V supply

- No external high voltages or V_P-Pcontrol circuits

- Self timed

The X28HC256 supports a 128-byte page write operation,

effectively providing a 24µs/byte write cycle, and enabling the

entire memory to be typically rewritten in less than 0.8s. The

X28HC256 also features DATA polling and Toggle bit polling,

two methods of providing early end of write detection. The

X28HC256 also supports the JEDEC standard software data

protection feature for protecting against inadvertent writes

during power-up and power-down.

- No erase before write

- No complex programming algorithms

- No overerase problem

• Low power CMOS

- Active: 60mA

- Standby: 500µA

Endurance for the X28HC256 is specified as a minimum

100,000 write cycles per byte and an inherent data retention

of 100 years.

• Software data protection

- Protects data against system level inadvertent writes

• High speed page write capability

• Highly reliable Direct Write^™cell

- Endurance: 100,000 cycles

- Data retention: 100 years

• Early end of write detection

- DATA polling

- Toggle bit polling

• RoHS compliant

256k BIT

EEPROM

ARRAY

X BUFFERS

LATCHES AND

DECODER

TO A

ADDRESS

INPUTS

I/O BUFFERS

AND LATCHES

Y BUFFERS

LATCHES AND

DECODER

I/O TO I/O

DATA INPUTS/OUTPUTS

CONTROL

LOGIC AND

TIMING

FIGURE 1. BLOCK DIAGRAM

August 27, 2015

FN8108.5

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.

Intersil (and design) is a trademark owned by Intersil Corporation or one of its subsidiaries.

All other trademarks mentioned are the property of their respective owners.

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与X28HC256JI-90T13相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
X28HC256JIZ-12	INTERSIL	获取价格	5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC256JIZ-12T13	RENESAS	获取价格	EEPROM 5V
X28HC256JIZ-15	INTERSIL	获取价格	5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC256JIZ-15T13	RENESAS	获取价格	EEPROM 5V
X28HC256JIZ-90	ROCHESTER	获取价格	LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM
X28HC256JIZ-90	INTERSIL	获取价格	5V, Byte Alterable EEPROM
X28HC256JIZ-90T13	RENESAS	获取价格	EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PQCC32
X28HC256JM-12	XICOR	获取价格	5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC256JM-12	INTERSIL	获取价格	5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC256JM-12T1	XICOR	获取价格	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

与X28HC256JI-90T13相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

X28HC256JI-90T13

X28HC256JI-90T13 技术参数

X28HC256JI-90T13 数据手册

与X28HC256JI-90T13相关器件

与X28HC256JI-90T13相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

X28HC256JI-90T13

X28HC256JI-90T13 技术参数

X28HC256JI-90T13 数据手册

与X28HC256JI-90T13相关器件

与X28HC256JI-90T13相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？