是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.61 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | 100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
数据保留时间-最小值: | 100 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.97 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
页面大小: | 128 words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.56 mm |
最大待机电流: | 0.0005 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.06 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 切换位: | YES |
宽度: | 11.43 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28HC256J-15T13 | RENESAS |
获取价格 |
EEPROM 5V | |
X28HC256J-70 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC256J-70 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC256J-90 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC256J-90 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC256J-90 | ROCHESTER |
获取价格 |
LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM | |
X28HC256J-90T1 | RENESAS |
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32KX8 EEPROM 5V, 90ns, PQCC32, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 | |
X28HC256JI-12 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28HC256JI-12 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28HC256JI-12T1 | RENESAS |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, MS-016AE, LCC-32 |