是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DFP, FL28,.4 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.69 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | 100000 ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; 128-BYTE PAGE |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
数据保留时间-最小值: | 10 | 耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-CDFP-F32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 64KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DFP |
封装等效代码: | FL28,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 页面大小: | 128 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 3.05 mm | 最大待机电流: | 0.0005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
宽度: | 11.6586 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28C512FMB-15T1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
X28C512FMB-20 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C512FMB-20 | INTERSIL |
获取价格 |
5V, Byte Alterable EEPROM | |
X28C512FMB-20T1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
X28C512FMB-25 | INTERSIL |
获取价格 |
5V, Byte Alterable EEPROM | |
X28C512FMB-25 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C512FMB-25 | RENESAS |
获取价格 |
64KX8 EEPROM 5V, 250ns, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
X28C512FMB-25T1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 64KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32 | |
X28C512FMB-90 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C512FMB-90T1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 64KX8, 90ns, Parallel, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32 |