生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIP, DIP32,.6 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.28 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 150 ns |
其他特性: | 100000 ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; 128-BYTE PAGE | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 数据保留时间-最小值: | 10 |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-GDIP-T32 |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 64KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 页面大小: | 128 words |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 5.9 mm |
最大待机电流: | 0.0005 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | YES | 宽度: | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28C512DMB-15C1035 | RENESAS |
获取价格 |
64KX8 EEPROM 5V, 150ns, CDIP32, CERMIC, DIP-32 | |
X28C512DMB-20 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C512DMB-20 | INTERSIL |
获取价格 |
5V, Byte Alterable EEPROM | |
X28C512DMB-25 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C512DMB-90 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C512E-12 | INTERSIL |
获取价格 |
5V, Byte Alterable EEPROM | |
X28C512E-12 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C512E-12T1 | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
X28C512E-15 | INTERSIL |
获取价格 |
5V, Byte Alterable EEPROM | |
X28C512E-15 | XICOR |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable E2PROM |