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X28C256PM-20 PDF预览

X28C256PM-20

更新时间： 2024-11-01 22:21:07
品牌 Logo 应用领域
XICOR 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
24页 114K
描述
5 Volt, Byte Alterable E2PROM

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X28C256PM-20 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP28,.6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.52Is Samacsys：N
最长访问时间：200 ns其他特性：100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION
命令用户界面：NO数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：100耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：36.45 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
页面大小：64 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.82 mm最大待机电流：0.0005 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
宽度：15.24 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
Base Number Matches：1

X28C256PM-20 数据手册

 浏览型号X28C256PM-20的Datasheet PDF文件第2页浏览型号X28C256PM-20的Datasheet PDF文件第3页浏览型号X28C256PM-20的Datasheet PDF文件第4页浏览型号X28C256PM-20的Datasheet PDF文件第5页浏览型号X28C256PM-20的Datasheet PDF文件第6页浏览型号X28C256PM-20的Datasheet PDF文件第7页 
256K  
X28C256  
32K x 8 Bit  
5 Volt, Byte Alterable E2PROM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
2
• Access Time: 200ns  
• Simple Byte and Page Write  
— Single 5V Supply  
—No External High Voltages or V Control  
Circuits  
— Self-Timed  
The X28C256 is an 32K x 8 E PROM, fabricated with  
Xicor’s proprietary, high performance, floating gate  
CMOS technology. Like all Xicor programmable non-  
volatile memories the X28C256 is a 5V only device. The  
X28C256 features the JEDEC approved pinout for byte-  
widememories,compatiblewithindustrystandardRAMs.  
PP  
—No Erase Before Write  
—No Complex Programming Algorithms  
—No Overerase Problem  
• Low Power CMOS:  
The X28C256 supports a 64-byte page write operation,  
effectively providing a 78µs/byte write cycle and en-  
abling the entire memory to be typically written in less  
than 2.5 seconds. The X28C256 also features DATA  
and Toggle Bit Polling, a system software support  
scheme used to indicate the early completion of a write  
cycle. In addition, the X28C256 includes a user-optional  
software data protection mode that further enhances  
Xicor’s hardware write protect capability.  
—Active: 60mA  
—Standby: 200µA  
• Software Data Protection  
— Protects Data Against System Level  
Inadvertent Writes  
• High Speed Page Write Capability  
™
• Highly Reliable Direct Write Cell  
2
Xicor E PROMs are designed and tested for applica-  
— Endurance: 100,000 Write Cycles  
— Data Retention: 100 Years  
• Early End of Write Detection  
— DATA Polling  
tions requiring extended endurance. Inherent data re-  
tention is greater than 100 years.  
—Toggle Bit Polling  
PIN CONFIGURATION  
LCC  
PLCC  
PLASTIC DIP  
CERDIP  
FLAT PACK  
SOIC  
TSOP  
A
A
A
I/O  
I/O  
I/O  
1
2
3
4
5
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7
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21  
20  
19  
18  
17  
A
A
A
A
A
A
A
NC  
V
NC  
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0
0
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2
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4
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A14  
1
28  
27  
26  
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22  
21  
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19  
18  
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V
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2
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A
2
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A
A
A
A
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A
A
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11  
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X28C256  
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I/O  
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I/O  
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A
A
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CE  
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CE  
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I/O  
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4
CE  
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I/O  
I/O  
0
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A
I/O  
0
I/O  
1
I/O  
2
OE  
10  
14 15 16 17 18 19 20  
3855 ILL F23  
V
I/O  
3
SS  
3855 FHD F03  
3855 FHD F02  
© Xicor, Inc. 1991, 1995 Patents Pending  
3855-1.9 8/1/97 T1/C0/D8 EW  
Characteristics subject to change without notice  
1
1234567...24

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