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X28C256PI-35

更新时间： 2024-11-01 22:21:03
品牌 Logo 应用领域
XICOR 可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
24页 114K
描述
5 Volt, Byte Alterable E2PROM

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X28C256PI-35 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, DIP-28Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.77最长访问时间：350 ns
命令用户界面：NO数据轮询：YES
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDIP-T28
JESD-609代码：e0长度：36.45 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE页面大小：64 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.82 mm
最大待机电流：0.0005 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES宽度：15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 msBase Number Matches：1

X28C256PI-35 数据手册

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256K  
X28C256  
32K x 8 Bit  
5 Volt, Byte Alterable E2PROM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
2
• Access Time: 200ns  
• Simple Byte and Page Write  
— Single 5V Supply  
—No External High Voltages or V Control  
Circuits  
— Self-Timed  
The X28C256 is an 32K x 8 E PROM, fabricated with  
Xicor’s proprietary, high performance, floating gate  
CMOS technology. Like all Xicor programmable non-  
volatile memories the X28C256 is a 5V only device. The  
X28C256 features the JEDEC approved pinout for byte-  
widememories,compatiblewithindustrystandardRAMs.  
PP  
—No Erase Before Write  
—No Complex Programming Algorithms  
—No Overerase Problem  
• Low Power CMOS:  
The X28C256 supports a 64-byte page write operation,  
effectively providing a 78µs/byte write cycle and en-  
abling the entire memory to be typically written in less  
than 2.5 seconds. The X28C256 also features DATA  
and Toggle Bit Polling, a system software support  
scheme used to indicate the early completion of a write  
cycle. In addition, the X28C256 includes a user-optional  
software data protection mode that further enhances  
Xicor’s hardware write protect capability.  
—Active: 60mA  
—Standby: 200µA  
• Software Data Protection  
— Protects Data Against System Level  
Inadvertent Writes  
• High Speed Page Write Capability  
™
• Highly Reliable Direct Write Cell  
2
Xicor E PROMs are designed and tested for applica-  
— Endurance: 100,000 Write Cycles  
— Data Retention: 100 Years  
• Early End of Write Detection  
— DATA Polling  
tions requiring extended endurance. Inherent data re-  
tention is greater than 100 years.  
—Toggle Bit Polling  
PIN CONFIGURATION  
LCC  
PLCC  
PLASTIC DIP  
CERDIP  
FLAT PACK  
SOIC  
TSOP  
A
A
A
I/O  
I/O  
I/O  
1
2
3
4
5
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7
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26  
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24  
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20  
19  
18  
17  
A
A
A
A
A
A
A
NC  
V
NC  
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0
0
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14  
A14  
1
28  
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26  
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21  
20  
19  
18  
17  
16  
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V
CC  
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2
1
32 31 30  
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2
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12  
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A
A
A
A
A
A
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9
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A
A
A
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9
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V
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NC  
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X28C256  
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I/O  
I/O  
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A
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9
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4
CE  
11  
I/O  
I/O  
0
6
A
I/O  
0
I/O  
1
I/O  
2
OE  
10  
14 15 16 17 18 19 20  
3855 ILL F23  
V
I/O  
3
SS  
3855 FHD F03  
3855 FHD F02  
© Xicor, Inc. 1991, 1995 Patents Pending  
3855-1.9 8/1/97 T1/C0/D8 EW  
Characteristics subject to change without notice  
1
1234567...24

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28C256PM XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C256PM-15 XICOR

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 		EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
X28C256PM-20 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
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