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X25649S14-1.8

更新时间： 2024-01-18 11:23:53

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XICOR		存储内存集成电路光电二极管监控可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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V CC Supervisory Circuit w/Serial E 2 PROM

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X25649S14-1.8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, SOIC-14	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz	数据保留时间-最小值：	100
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G14
JESD-609代码：	e0	长度：	8.65 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	14	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP14,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

X25649S14-1.8 数据手册

64K

32K

16K

X25648/49,

X25328/29,

X25168/69

8K x 8 Bit

4K x 8 Bit

2K x 8 Bit

Supervisory Circuit w/Serial E²PROM

FEATURES

DESCRIPTION

• Low Vcc Detection and Reset Assertion

—Reset Signal Valid to Vcc=1V

• Save Critical Data With Block Lock^TMProtection

—Block Lock^TMProtect 0, 1/4, 1/2 or all of

Serial E²PROM Memory Array

• In Circuit Programmable ROM Mode

• Long Battery Life With Low Power Consumption

—<1µA Max Standby Current

—<5mA Max Active Current during Write

—<400µA Max Active Current during Read

• 1.8V to 3.6V, 2.7V to 5.5V and 4.5V to 5.5V Power

Supply Operation

• 2MHz Clock Rate

• Minimize Programming Time

—32 Byte Page Write Mode

—Self-Timed Write Cycle

—5ms Write Cycle Time (Typical)

• SPI Modes (0,0 & 1,1)

These devices combines two popular functions, Supply

Voltage Supervision and Serial E²PROM Memory in one

package. This combination lowers system cost, reduces

board space requirements, and increases reliability.

The user’s system is protected from low voltage condi-

tions by the devices low Vcc detection circuitry. When

Vcc falls below the minimum Vcc trip point, the system is

reset. RESET/RESET is asserted until Vcc returns to

proper operating levels and stabilizes.

The memory portion of the device is a CMOS Serial

E²PROM array with Xicor’s Block Lock^TMProtection. The

array is internally organized as x 8.The device features a

Serial Peripheral Interface (SPI) and software protocol

allowing operation on a simple four-wire bus.

The device utilizes Xicor’s proprietary Direct Write^TMcell,

providing a minimum endurance of 100,000 cycles per

sector and a minimum data retention of 100 years.

• Built-in Inadvertent Write Protection

—Power-Up/Power-Down Protection Circuitry

—Write Enable Latch

—Write Protect Pin

• High Reliability

• Available Packages

—14-Lead SOIC (X2564X)

—14-Lead TSSOP (X2532X, X2516X)

—8-Lead SOIC (X2532X, X2516X)

BLOCK DIAGRAM

DATA

PAGE DECODE LOGIC

COMMAND

DECODE &

CONTROL

LOGIC

X - DECODE

LOGIC

SCK

SERIAL

E²PROM

ARRAY

STATUS

RESET

CONTROL

RESET/RESET

LOW

VOLTAGE

SENSE

HIGH

VOLTAGE

CONTROL

PROGRAMMING,

BLOCK LOCK &

ICP ROM CONTROL

7036 FRM 01

Xicor, Inc. 1994, 1995, 1996 Patents Pending

7032 -1.1 6/17/97 T1/C0/D0 SH

Characteristics subject to change without notice

12 3 4 5 6 7...16

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