Datasheet > 存储 > EEPROM> X25642S8M-2.7

X25642S8M-2.7

更新时间： 2024-01-23 22:43:52

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XICOR		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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描述
Advanced SPI Serial E 2 PROM with Block Lock TM Protection

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X25642S8M-2.7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.87
最大时钟频率 (fCLK)：	2 MHz	数据保留时间-最小值：	100
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	长度：	4.9 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	8KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

X25642S8M-2.7 数据手册

APPLICATION

NOTE

A V A I L A B L E

AN19 • AN38 • AN41 • AN61

64K

8K x 8 Bit

X25642

Advanced SPI Serial E PROM with Block Lock Protection

FEATURES

DESCRIPTION

• 2MHz Clock Rate

The X25642 is a CMOS 65,536-bit serial E²PROM,

internally organized as 8K x 8. The X25642 features a

Serial Peripheral Interface (SPI) and software protocol

allowing operation on a simple three-wire bus. The bus

signals are a clock input (SCK) plus separate data in

(SI) and data out (SO) lines. Access to the device is

controlled through a chip select (CS) input, allowing

any number of devices to share the same bus.

• Low Power CMOS

—<1µA Standby Current

—<5mA Active Current

• 2.7V To 5.5V Power Supply

• SPI Modes (0,0 & 1,1)

• 8K X 8 Bits

—32 Byte Page Mode

• Block Lock Protection

—Protect 1/4, 1/2 or all of E²PROM Array

• Built-in Inadvertent Write Protection

—Power-Up/Down protection circuitry

—Write Enable Latch

—Write Protect Pin

• Self-Timed Write Cycle

—5ms Write Cycle Time (Typical)

• High Reliability

The X25642 also features two additional inputs that

provide the end user with added ﬂexibility. By

asserting the HOLD input, the X25642 will ignore tran-

sitions on its inputs, thus allowing the host to service

higher priority interrupts. The WP input can be used as

a hardwire input to the X25642 disabling all write

attempts to the status register, thus providing a mech-

anism for limiting end user capability of altering 0, 1/4,

1/2 or all of the memory.

—Endurance: 100,000 cycles

—Data Retention: 100 Years

—ESD protection: 2000V on all pins

• Packages

The X25642 utilizes Xicor’s proprietary Direct Write^TM

cell, providing a minimum endurance of 100,000

cycles and a minimum data retention of 100 years.

—8-Lead PDIP

—8-Lead SOIC

—14-Lead SOIC

—20-Lead TSSOP

FUNCTIONAL DIAGRAM

WRITE

PROTECT

LOGIC

STATUS

X DECODE

LOGIC

8K BYTE

ARRAY

64 X 256

COMMAND

DECODE

AND

CONTROL

LOGIC

SCK

HOLD

128

128 X 256

WRITE

CONTROL

AND

TIMING

LOGIC

Y DECODE

DATA REGISTER

3132 ILL F01.1

Direct Write and Block Lock Protection is a trademark of Xicor, Inc.

Xicor, Inc. 1994, 1995, 1996 Patents Pending

3132-1.0 1/17/97 T5/C0/D1 SH

Characteristics subject to change without notice

12 3 4 5 6 7...16

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