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X25170S8I-2.5T1

更新时间： 2024-11-19 15:58:07

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XICOR		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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13页	474K
描述
EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8

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X25170S8I-2.5T1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOP,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
其他特性：	1 MILLION ENDURANCE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION	最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz
数据保留时间-最小值：	100	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	4.9 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
串行总线类型：	SPI	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

X25170S8I-2.5T1 数据手册

APPLICATION NOTE

A V A I L A B L E

AN61

Recommended System Management

Alternative: X5163

16K

2K x 8 Bit

X25170

SPI Serial EEPROM with Block Lock^™Protection

FEATURES

DESCRIPTION

• 5MHz clock rate

• SPI modes (0,0 & 1,1)

• 2K X 8 bits

—32-byte page mode

• Low power CMOS

—<1µA standby current

—<5mA active current

• 2.5V To 5.5V power supply

• Block lock protection

The X25170 is a CMOS 16384-bit serial EEPROM,

internally organized as 2K x 8. The X25170 features a

Serial Peripheral Interface (SPI) and software protocol,

allowing operation on a simple three-wire bus. The bus

signals are a clock input (SCK) plus separate data in

(SI) and data out (SO) lines. Access to the device is

controlled through a chip select (CS) input, allowing

any number of devices to share the same bus.

The X25170 also features two additional inputs that

provide the end user with added ﬂexibility. By asserting

the HOLD input, the X25170 will ignore transitions on

its inputs, thus allowing the host to service higher pri-

ority interrupts. The WP input can be used as a hard-

wire input to the X25170 (disabling all write attempts to

the status register), thus providing a mechanism for

limiting end user capability of altering 0, 1/4, 1/2 or all

of the memory.

—Protect 1/4, 1/2 or all of EEPROM array

• Built-in inadvertent write protection

—Power-up/power-down protection circuitry

—Write enable latch

—Write protect pin

• Self-timed write cycle

—5ms write cycle time (typical)

• High reliability

—Endurance: 1,000,000 cycles

—Data retention: 100Years

—ESD protection: 2000V on all pins

• 8-lead SOIC package

The X25170 utilizes Xicor’s proprietary Direct Write^™

cell, providing a minimum endurance of 1,000,000

cycles and a minimum data retention of 100 years.

BLOCK DIAGRAM

Write

Protect

Logic

Status

X Decode

Logic

2K Byte

Array

16 X 256

SCK

Command

Decode

and

Control

Logic

HOLD

32 X 256

Write

Control

and

Timing

Logic

Y Decode

Data Register

Direct Write^™and Block Lock^™Protection is a trademark of Xicor, Inc.

REV 1.3 12/14/00

Characteristics subject to change without notice. 1 of 13

www.xicor.com

12 3 4 5 6 7...13

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