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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.89 |
| 最长访问时间： | 200 ns | JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4096 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 混合内存类型： | N/A | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 512 words | 字数代码： | 512 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 512X8 | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 子类别： | SRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| X2004DMB-25 | XICOR | Non-Volatile SRAM, 512X8, 250ns, MOS, CDIP28, |
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| X2004E | XICOR | Non-Volatile SRAM, 512X8, 300ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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| X2004E/10 | XICOR | Non-Volatile SRAM, 512X8, 300ns, MOS, CQCC32, |
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| X2004E/10-20 | XICOR | Non-Volatile SRAM, 512X8, 200ns, MOS, CQCC32, |
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| X2004E/10-25 | XICOR | Non-Volatile SRAM, 512X8, 250ns, MOS, CQCC32, |
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| X2004E-20 | XICOR | Non-Volatile SRAM, 512X8, 200ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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