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X2001DI/10

更新时间: 2024-02-23 18:34:19
品牌 Logo 应用领域
XICOR 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 415K
描述
Non-Volatile SRAM, 128X8, 300ns, MOS, CDIP24,

X2001DI/10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.88
最长访问时间:300 nsJESD-30 代码:R-XDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM内存宽度:8
端子数量:24字数:128 words
字数代码:128最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128X8
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

X2001DI/10 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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