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WTV06N028S

更新时间： 2024-11-21 14:53:15

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
7页	541K
描述
功率金氧半电晶体

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WTV06N028S 数据手册

WTV06N028S-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Advanced trench cell design

• High speed switch

• Halogen and Antimony Free(HAF),

Gate

RoHS compliant

Applications

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-263 Plastic Package

• Portable appliances

• Power management

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

R_DS(ON)Max

V_GS(th)typ

Qg typ

3.2 @ V_GS= 10 V

mΩ

75 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain Source Voltage

Gate Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

120

Drain Current - Continuous

I_D

T_c= 100℃

Drain Current - Pulsed ¹⁾

I_DM

I_AS

480

44.8

100.3

62.5

Avalanche Current, Single Pulse

Avalanche Energy, Single Pulse ²⁾

Power Dissipation

E_AS

P_D

℃

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

R_θJA

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 44.8 A, V_GS= 10 V.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 01/06/2022 Rev: 03

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