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WTV04P047SS-CH

更新时间： 2024-11-21 14:54:07

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先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
7页	660K
描述
功率金氧半电晶体

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WTV04P047SS-CH 数据手册

WTV04P047SS-CH

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-263 Plastic Package

Key Parameters

Parameter

-BV_DSS

Value

Unit

R_DS(ON)Max

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

7.4 @ -V_GS= 10 V

mΩ

105 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Drain Current

-I_D

Peak Drain Current ¹⁾

Avalanche Current

Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

-I_DM

-I_AS

350

T_c= 25℃

66.5

E_AS

221

℃

P_D

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

1.9

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, -I_AS= 66.5 A, -V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 01/11/2022 Rev: 01

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