Datasheet > WTV04N040LS

WTV04N040LS

更新时间： 2024-11-21 14:54:43

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
7页	564K
描述
功率金氧半电晶体

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

WTV04N040LS 数据手册

WTV04N040LS-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

• Low Gate-Source Threshold Voltage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-263 Plastic Package

Source

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

4 @ V_GS= 10 V

5 @ V_GS= 4.5 V

1.5

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

143 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

105

Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

500

58.8

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

172.8

℃

Power Dissipation

P_D

83.3

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 175

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

1.8

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 175°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 58.8 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

1 / 7

Dated: 25/08/2023 Rev: 03

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与WTV04N040LS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WTV04N040LS-CH	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTV04P047SS	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTV04P047SS-CH	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTV06N028S	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTV06N028S-CH	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTV06N033L	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTV06P065L	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTV06P240L	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTV10N039S	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTV15N065S	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体