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WTV04N033S

更新时间： 2024-11-21 14:55:31

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
8页	981K
描述
功率金氧半电晶体

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WTV04N033S 数据手册

WTV04N033S-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low Gate Charge

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Applications

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-263 Plastic Package

• synchronous buck converter

Source

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

R_DS(ON)Max

V_GS(th)typ

Q_gtyp

4.1 @ V_GS= 10 V

2.3

mΩ

84 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

120

75.6

T_c= 25℃

T_c= 100℃

I_D

Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current, Single Pulse

Avalanche Energy, Single Pulse ²⁾

Power Dissipation

I_DM

I_AS

500

78.4

307.3

83.3

E_AS

℃

P_D

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

1.5

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_D= 78.4 A, V_GS= 10 V.

℃

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 31/03/2021 Rev: 02

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