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WTV04N010L-CH

更新时间： 2024-11-21 14:53:35

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先科 - SWST		晶体
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7页	552K
描述
功率金氧半电晶体

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WTV04N010L-CH 数据手册

WTV04N010L-CH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• 100% Avalanche tested

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-263 Plastic Package

Source

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

mΩ

R_DS(ON)Max

V_GS(th)typ

Q_gtyp

1.1 @ V_GS= 10 V

141 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

200

126

Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

800

109

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

596

℃

Power Dissipation

P_D

106

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 175

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

1.41

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 175°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 109 A, V_GS= 10 V, V_DD= 32 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 14/06/2023 Rev: 01

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