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WTR10N082L

更新时间： 2024-11-28 14:54:39

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先科 - SWST		晶体
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8页	504K
描述
功率金氧半电晶体

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WTR10N082L 数据手册

WTR10N082L-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low Miller Charge

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche

• Halogen and Antimony Free(HAF),

_.RoHS compliant

Gate

Source

Application

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-252 Plastic Package

• Half-bridge and full-bridge topologies

• Battery powered circuits

• Synchronous rectifier applications

• Resonant mode power supplies

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

100

Unit

10.5 @ V_GS= 10 V

13 @ V_GS= 4.5 V

1.6

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

36 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

100

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

200

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

℃

Power Dissipation

P_tot

27.7

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

4.5

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

R_θJA

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25℃, L = 0.3 mH, R_g= 25 Ω, I_D= 12 A, V_GS= 10 V.

³⁾Device Surface Mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, in a still air.

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Dated: 23/12/2020 Rev: 01

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