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WTR10N065L

更新时间： 2024-11-28 14:52:19

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先科 - SWST		晶体
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8页	592K
描述
功率金氧半电晶体

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WTR10N065L 数据手册

WTR10N065L-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low R_{DS( ON )}

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-252 Plastic Package

Application

• Synchronous Rectification

• BLDC Motor drive applications

• Battery powered circuits

• Resonant mode power supplies

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

100

Unit

8.3 @ V_GS= 10 V

10.6 @ V_GS= 4.5 V

1.7

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

56.4 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

100

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

37.8

Continuous drain current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

250

11.9

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

℃

Power Dissipation

P_tot

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

2.4

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_D= 11.9 A, V_GS= 10 V.

℃

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 13/08/2021 Rev: 01

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