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WTR06P600L

更新时间： 2024-11-28 14:55:47

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先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
7页	588K
描述
功率金氧半电晶体

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WTR06P600L 数据手册

WTR06P600L-HAF

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Low Gate-Source Threshold Voltage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-252 Plastic Package

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Key Parameters

Parameter

-BV_DSS

Value

Unit

60 @ -V_GS= 10 V

75 @ -V_GS= 4.5 V

1.7

R_DS(ON)Max

mΩ

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

24 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Drain Current

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

-I_AS

E_AS

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

T_c= 25℃

T_c= 100℃

41.6

16.6

Power Dissipation

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, -I_AS= 18 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 10/11/2022 Rev: 04

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