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WTR04N060LS-CH

更新时间： 2024-11-07 14:54:51

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先科 - SWST		晶体
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7页	571K
描述
功率金氧半电晶体

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WTR04N060LS-CH 数据手册

WTR04N060LS-CH

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low R_{DS( ON )}

• AEC-Q101 Qualified

• Low Input Capacitance

Gate

• Low Input/Output Leakage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-252 Plastic Package

Application

• Load Switch

• DC-DC converters and Off-line UPS

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

7.6 @ V_GS= 10 V

9.5 @ V_GS= 4.5 V

1.5

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

48.5 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Continuous Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

200

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

E_AS

℃

P_D

35.8

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

3.4

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 26 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 11/11/2022 Rev: 01

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