Datasheet > WTR02P130US

WTR02P130US

更新时间： 2024-11-07 14:54:31

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
8页	599K
描述
功率金氧半电晶体

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

WTR02P130US 数据手册

WTR02P130US-HAF

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low On-Resistance

• Surface-mounted package

Gate

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source

TO-252 Plastic Package

Key Parameters

Parameter

-V_(BR)DSS

Value

Unit

13 @ -V_GS= 10 V

17 @ -V_GS= 4.5 V

0.5

R_DS(ON)Max

mΩ

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

68 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-V_DS

V_GS

± 12

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Drain Current

-I_D

Peak Drain Current ¹⁾

Avalanche Current

Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

-I_DM

-I_AS

200

E_AS

℃

P_D

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

2.5

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, -I_D= 30 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

1 / 8

Dated: 26/08/2021 Rev: 01

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与WTR02P130US相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
WTR02P250US	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTR03N015LS	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTR03N030LS	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTR03N039L	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTR03N040LS	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTR03N055L	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTR03N056L	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTR03N095LS	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTR03P055LS	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体
WTR03P075L	SWST	获取价格	功率金氧半电晶体