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WTQ20N1K0L

更新时间： 2024-11-28 14:54:15

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先科 - SWST		晶体
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7页	627K
描述
功率金氧半电晶体

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WTQ20N1K0L 数据手册

WTQ20N1K0L-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

Gate

RoHS compliant

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source 4.Drain

SOT-223 Plastic Package

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

200

Unit

1 @ V_GS= 10 V

1.1 @ V_GS= 4.5 V

1.7

R_DS(ON)Max

V_GS(th)typ

Q_gtyp

13 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

200

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

1.9

I_D

Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

2.2

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

2.4

℃

P_tot

Power Dissipation

13.8

T_c= 25℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25°C, L = 1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 2.2 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 01/09/2022 Rev: 02

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