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WTQ10P1K4LS

更新时间： 2024-09-17 14:55:15

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先科 - SWST		晶体
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7页	614K
描述
功率金氧半电晶体

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WTQ10P1K4LS 数据手册

WTQ10P1K4LS-HAF

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source 4.Drain

SOT-223 Plastic Package

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

100

Unit

145 @ V_GS= 10 V

175 @ V_GS= 4.5 V

1.6

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

35 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

100

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25°C

T_c= 100°C

Drain Current

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Single-Pulse Avalanche Current

Single-Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

-I_DM

-I_AS

12.6

E_AS

39.6

℃

T_c= 25°C

P_D

24.2

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

5.1

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25°C, L = 0.5 mH, R_g= 25 Ω, -I_AS= 12.6 A, -V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 25/05/2022 Rev: 02

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