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WTQ10N1K1LS

更新时间： 2024-11-07 14:55:39

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先科 - SWST		晶体
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7页	916K
描述
功率金氧半电晶体

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WTQ10N1K1LS 数据手册

WTQ10N1K1LS-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Applications

• BLDC Motor drive applications

• Battery powered circuits

• Synchronous rectifier applications

• Resonant mode power supplies

Source

1.Gate 2.Drain 3.Source 4.Drain

SOT-223 Plastic Package

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

100

Unit

115 @ V_GS= 10 V

125 @ V_GS= 4.5 V

1.6

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

20 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

100

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

T_a= 25℃

T_a= 70℃

Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Single-Pulse Avalanche Current

Single-Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

I_DM

I_AS

3.7

E_AS

℃

P_D

2.7

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

℃/W

Thermal Resistance - Junction to Ambient ³⁾

Thermal Resistance - Junction to Ambient ⁴⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25°C, L = 0.3 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 5 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

100

Steady State

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, t < 10 s.

⁴⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, minimum recommended footprint.

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Dated: 04/11/2022 Rev: 02

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