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WTQ06N750LS

更新时间： 2024-11-28 14:55:03

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先科 - SWST		晶体
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7页	557K
描述
功率金氧半电晶体

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WTQ06N750LS 数据手册

WTQ06N750LS-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low threshold drive

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

Applications

• Switching applications

1.Gate 2.Drain 3.Source 4.Drain

SOT-223 Plastic Package

• DC-DC converters for Telecom and Computer

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

78 @ V_GS= 10 V

100 @ V_GS= 4.5 V

1.7

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

4.3 @ V_GS= 4.5 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Value

Unit

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

2.9

I_D

Drain Current

T_c= 100℃

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Single-Pulse Avalanche Current

Single-Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

I_DM

I_AS

5.4

E_AS

1.5

℃

P_D

1.25

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

Thermal Resistance - Junction to Case

Thermal Resistance - Junction to Ambient ³⁾Steady State

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 5.4 A, V_GS= 10 V.

℃

R_θJA

100

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 13/10/2022 Rev: 04

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