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WTPT15N065S

更新时间： 2024-10-31 14:55:15

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
7页	619K
描述
功率金氧半电晶体

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WTPT15N065S 数据手册

WTPT15N065S-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Extremely low threshold voltage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Drain

Gate

Applications

• Portable appliances

• High speed switch

Source

TO-247 Plastic Package

1.Gate 2.Drain 3.Source

• Battery management

• Low power DC to DC converter

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

150

Unit

8.5 @ V_GS= 10 V

10.5 @ V_GS= 6 V

2.9

R_DS(ON)Max

mΩ

V_GS(th)typ

Q_gtyp

145 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Symbol

V_DS

Value

150

Unit

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 25

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Drain Current

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

400

51.8

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

E_AS

670.8

℃

P_tot

79.1

T_c= 25℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

1.58

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.5 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 51.8 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

1 / 7

Dated: 28/04/2023 Rev: 01

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