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WTPT06N028S

更新时间： 2024-11-30 14:54:55

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		晶体
页数	文件大小	规格书
7页	571K
描述
功率金氧半电晶体

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WTPT06N028S 数据手册

WTPT06N028S-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Advanced trench cell design

• High speed switch

Gate

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Source

Applications

TO-247 Plastic Package

1.Gate 2.Drain 3.Source

• Portable appliances

• Power management

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

R_DS(ON)Max

V_GS(th)typ

Q_gtyp

3.2 @ V_GS= 10 V

2.8

mΩ

82 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

Drain Current - Continuous

I_D

T_c= 100℃

Drain Current - Pulsed ¹⁾

I_DM

I_AS

450

41.3

Avalanche Current, Single Pulse

Avalanche Energy, Single Pulse ²⁾

Power Dissipation

E_AS

85.2

℃

P_D

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

2.6

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= 41.3 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

1 / 7

Dated: 05/12/2022 Rev: 02

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