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WTM504P047SS

更新时间： 2024-11-25 14:53:19

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先科 - SWST		晶体
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8页	553K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM504P047SS 数据手册

WTM504P047SS-HAF

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1.Source 2.Source 3.Source 4.Gate

5.Drain 6.Drain 7.Drain 8.Drain

DFN5060 Plastic Package

Source

Key Parameters

Parameter

-BV_DSS

Value

Unit

R_DS(ON)Max

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

6.8 @ -V_GS= 10 V

mΩ

105 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

Drain Current

-I_D

Peak Drain Current ¹⁾

Avalanche Current

Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

-I_DM

-I_AS

350

66.5

T_c= 25℃

E_AS

221

℃

P_D

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

2.6

Unit

Thermal Resistance - Junction to Case

Thermal Resistance - Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, -I_AS= 66.5 A, -V_GS= 10 V.

℃

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 22/10/2021 Rev: 02

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