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WTM403B600LS

更新时间： 2023-12-06 20:09:05

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先科 - SWST		晶体
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7页	579K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM403B600LS 数据手册

WTM403B600LS-HAF

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

• Low Gate-Source Threshold Voltage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Q1:1.Source 2.Gate 7.Drain 8.Drain

Q2:3.Source 4.Gate 5.Drain 6.Drain

DFN3030 Plastic Package

Key Parameters(Q1/Q2)

Parameter

-BV_DSS

Value

Unit

62 @ -V_GS= 10 V

112 @ -V_GS= 4.5 V

1.6

R_DS(ON)Max

mΩ

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

9.3 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-V_DS

V_GS

± 20

T_c= 25℃

5.6

Drain Current

-I_D

T_c= 100℃

Peak Drain Current ¹⁾

Avalanche Current

Avalanche Energy ²⁾

Power Dissipation

-I_DM

-I_AS

E_AS

℃

P_D

T_c= 25℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

15.6

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, -I_AS= 11 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 14/04/2022 Rev: 01

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