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WTM403B300LS

更新时间： 2023-12-06 20:09:36

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先科 - SWST		晶体
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7页	587K
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功率金氧半电晶体

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WTM403B300LS 数据手册

WTM403B300LS-HAF

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Low R_{DS( ON )}

• Low Input Capacitance

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Q1:1.Source 2.Gate 7.Drain 8.Drain

Q2:3.Source 4.Gate 5.Drain 6.Drain

DFN3030 Plastic Package

Application

• Motor/Body Load Control

• Load Switch

• DC-DC converters and Off-line UPS

Key Parameters(Q1/Q2)

Parameter

-BV_DSS

Value

Unit

30 @ -V_GS= 10 V

50 @ -V_GS= 4.5 V

1.5

R_DS(ON)Max

mΩ

-V_GS(th)typ

Q_gtyp

19.8 @ -V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified) (Q1/Q2)

Symbol

-V_DS

Value

Unit

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

12.6

Drain Current

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

-I_DM

-I_AS

20.8

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

21.7

℃

P_tot

10.8

Power Dissipation

T_c= 25℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

11.4

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, -I_AS= 20.8 A, V_GS= 10 V.

R_θJA

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 18/05/2023 Rev: 01

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