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WTM303N055L

更新时间： 2023-12-06 20:02:48

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先科 - SWST		晶体
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8页	1057K
描述
功率金氧半电晶体

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WTM303N055L 数据手册

WTM303N055L-HAF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Low R_DS(ON)

• Low Miller Charge

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

Source

1. Source 2. Source 3. Source 4. Gate

5. Drain 6. Drain 7. Drain 8. Drain

DFN3030 Plastic Package

Application

• Motor/Body Load Control

• Load Switch

• DC-DC converters and Off-line UPS

Key Parameters

Parameter

BV_DSS

Value

Unit

5.5 @ V_GS= 10 V

8.3 @ V_GS= 4.5 V

1.4

mΩ

R_DS(ON)Max

V_GS(th)typ

Q_gtyp

50.5 @ V_GS= 10 V

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Symbol

V_DS

Value

Unit

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

± 20

T_c= 25℃

T_c= 100℃

I_D

Continuous Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Avalanche Current

I_DM

I_AS

280

Single Pulse Avalanche Energy ²⁾

E_AS

℃

P_tot

Power Dissipation

T_c= 25℃

T_a= 25℃

Power Dissipation ³⁾

P_tot

2.5

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJC

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Case

Thermal Resistance from Junction to Ambient ³⁾

℃

R_θJA

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Limited by T_J(MAX), starting T_J= 25 °C, L = 0.1 mH, R_g= 25 Ω, I_D= 33 A, V_GS= 10 V.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 12/10/2020 Rev: 01

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