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WTM2310A

更新时间： 2022-09-11 10:36:25

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描述
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WTM2310A 数据手册

WTM2310A

N-Channel Enhancement

Mode Power MOSFET

3 DRAIN

DRAIN CURRENT

5.0 AMPERES

P b

Lead(Pb)-Free

DRAIN SOUCE VOLTAGE

60 VOLTAGE

GATE

Features:

2 SOURCE

* Simple Drive Requirement.

* Super High Density Cell Design for Extremely Low R

DS(ON)

1. GATE

2. DRAIN

3. SOURCE

SOT-89

Maximum Ratings (T =25°C Unless Otherwise Specified)

Rating

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±±0

V_GS

T =±5°C

T =70°C

5.0

4.0

I_D

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

I_DM

P_D

°C

Total Power Dissipation (T_A=±5

)

1.50

83.3

°C/W

R_θJA

T_J

Maximum Junction-Ambient

-55~+150

°C

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Tstg

Note 1. Pulse width limited by Max. junction temperature.

±. Pulse width ≤ 300us, duty cycle ≤ ±%.

3. Surface mounted on FR4 board, t ≤10sec.

Device Marking

WTM2310A = 2310A

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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04-Feb-10

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