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WTD882O

更新时间： 2024-10-02 19:57:35

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Transistor

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WTD882O 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

WTD882O 数据手册

WTD772

WTD882

PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors

TO-252/D-PAK

P b

Lead(Pb)-Free

1. BASE

2. COLLECTOR

3. EMITTER

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(Ta=25 C)

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-B ase Voltage

Emitter-B ase Voltage

Collector Current (DC)

Symbol

PNP/WTD772

Unit

Vdc

Adc

NPN/WTD882

5.0

3.0

-30

-40

CEO

CB O

-5.0

-3.0

EB O

C(DC)

Collector Current (Pulse) ⁽¹⁾

(Pulse)

-7.0

-0.6

Adc

7.0

0.6

(Pulse)

B ase Current

Total Device Dissipation Tc=25°C

1.25

T =25°C

Junction Temperature

S torage, Temperature

150

Tstg

-55 to +150

Device Marking

WTD772=B 772

WTD882=D882

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min

Max

Unit

Collector-Emitter B reakdown Voltage (I = -10/ 10 mAdc, I =0)

-30/ 30

Vdc

(B R)CEO

-40/ 40

Vdc

Collector-B ase B reakdown Voltage (I = -100/ 100 µAdc, I =0)

(B R)CB O

Vdc

-5.0/ 5.0

Emitter-B ase B reakdown Voltage (I = -100/ 100 µAdc, I =0)

(B R)EB O

uAdc

CE0

CB O

EB O

-1.0/ 1.0

Collector Cutoff Current (V = -30/ 30 Vdc, I =0)

uAdc

Collector Cutoff Current (V = -40/ 40 Vdc, I =0)

Emitter Cutoff Current (V = -6.0/ 6.0V c, I =0)

NOTE: 1.PW 350us, duty cycle 2%

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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